以下是我考研的一点经验，希望对考清华的同学有所帮助:
主要复习思想:
一 半导体物理:
最重要的是基本的概念，基本的推导，基本图像的解释，各种能带图的画法，概念要懂，推导要熟，考试时有少量计算，要是概念清楚都不难。半导体对初学者不太好懂，但是自己要是把其中基本的推导推上3遍，上考场至少这门应该很有信心了。前八章中的推导比较多，有印象的主要有电子空穴有效质量，速度，加速度的推导，状态密度，PN结中的电流的推导，爱因斯坦等式等等等。其中求倒格子不会也行。七八章和器件联系较紧，在器件中再说。第九章会画异质结能带图就行，考计算的没见过，第十到十二章要注意几点:光生载流子和连续性方程结合，光电增益，有光生伏特有关的概念和计算，利用HALL LAW计算各种参数。第十三章非晶态不要求。每章的具体重点见清华本科生的笔记。
二 器件
基本要求同上，应该说张莉老师的课件很好，好懂，概念清楚，要是把上面的东西都搞懂了，考试可以保证这部分不丢分。
要注意的几点:BJT,MOS的中低频，高频等效电路及其中的各种参数的计算;就近几年考试题来看，BJT的参数计算较少，考概念较多；
***特别提醒:MOS能带图；C~V特性及图像；sah方程的推导及运用；会数形结合，从图像中提取参数，MOS的一系列二级效应；等等。每年必考，主要是因为MOS电路已经成为集成电路的主流，是模电和数电的基础。
说明:以上两门不再于看什么书，书上的东西要懂要全就好。刘恩科的半导体还是很不错的，没顾祖毅的也行，器件就看课件就好，我看过一阵子的亢宝位的书，推导太多，很难懂。
三 模电 RAZAVI
模电现在感觉最基础最重要的还是小信号等效电路图，因为有些结论你记不住还可以有一个最基本的工具可以自己推。前五章是基础，MOS电路三中最基本的组态加上共源共栅，这其中的基本的参数最好都会推而且要记住，因为第六章之后在很多地方这些结论拿来就用，你记不住的话，看书会有些不爽。第七章的噪声没单独考过，但基本的噪声源的种类和等效还是要知道的，复试有可能被问到。第八章的反馈一般会和其他章节结合考。第九章运放的各种参数的求法要会，简单的二级运放考得比较多。后面的章节第十二章要注意一下。十三，十四，十五感觉考的可能性不大，而时间有限，就没看。所以说考清华既是心智,体力又是勇气的较量。其后的一些二级效应应该在器件中好好理解。
四.数电 周润德
数电我学得不好，考的特不好，按我理解，觉得延时和功耗是数电中的一对矛盾，正是他们之间的折衷和改进推动数字电路的发展，所以每年延时和功耗必考其一。数电（二值逻辑，mos工作在开关状态下）的基本单元可以做得很标准，（跟模电不同）所以它可以很容易上升到系统级进行设计，这是电路的时序就变得很重要，如果算上传输线的延时，这问题就变得很麻烦。今年复试就有这样一道题，15分，我没搞定。当然，数电中的各种逻辑单元和存储单元都要会了。再加一句，数电中考系统的没见过，各种基本的逻辑单元和存储单元考得较多，因为他们是搭建复杂数字电路的基础，而清华就考你基础。
仅从考试的角度来说，数电中的概念不太好考，计算相对较多，书上哪儿公式比较多你就使劲看吧！
MOS模电和数电那两本书很多学校本科是不学的，啃起来有点不爽，因为考试中这四门大概各占1/4，要想考个好成绩，这两门也得多花点时间。
以上分析仅代表个人意见，考研的重点自己也可以从历年的真题和清华本科的其中期末考试题中得到。
再说点题外话，考清华的人首先要明白一点，清华不是人人都可以考的，因为各人的实际情况不一样；考了也不是人人都可以上的，清华要满足他要求的人，宁缺勿滥；如果你决定要要考了，那就希望你一直走下去，要知道有1/3的人不是死在战场上，而去往战场的途中；如果没有置之死地而后生的精神，我建议你不要试了；等你过了再回头看，也许清华并不是梦的伊甸园，但是他那种严谨治学的精神会让你终身受用！
记住这句话:厚德载物，自强不息！
最后祝你好运！！